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IR2111PBF价格

参考价格：￥3.9470

型号：IR2111PBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IR2111PBF多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IR2111PBF批发/采购报价，IR2111PBF行情走势销售排行榜，IR2111PBF报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
IR2111PBF	HALF-BRIDGEDRIVER Description TheIR2111(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannelsdesignedforhalfbridgeapplications.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.Logicinputiscom	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2111PBF	封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm）包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP 集成电路（IC）栅极驱动器	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
2111FX	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR Description ThedeviceismanufacturedusingDiffusedCollectorTechnologyformorestableoperationvsbasedrivecircuitvariationsresultinginverylowworstcasedissipation. Features ■NEWSERIES,ENHANCEDPERFORMANCE ■FULLYINSULATEDPACKAGE(U.L.COMPLIANT)FOREASYMOUNTING ■HIGHV	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
2111	2111 文件：125.32 Kbytes Page：6 Pages	YOUDAWuxi Youda Electronics Co., Ltd 无锡市友达无锡市友达电子有限公司
2111	One-wayflowcontrolvalve 文件：79.26 Kbytes Page：1 Pages	FESTOFesto Corporation. 费斯托公司德国FESTO费斯托（中国）有限公司
2111A	Fieldbus,5Pr#16StrTC,XLPOIns,IS/OS,TPEJkt,CMG 文件：256.839 Kbytes Page：3 Pages	BELDEN Belden Inc.
2111-H	HighCurrentToroidInductors 文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）

IR2111PBF产品属性

类型
描述
型号
IR2111PBF
功能描述
功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA
RoHS
否
制造商
Micrel
产品
MOSFET Gate Drivers
类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
电源电压-最大
30 V
电源电压-最小
2.75 V
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
SOIC-8
封装
Tube

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更新时间：2024-4-19 20:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	IR2111PBF	ST/意法	23+	NA/	3349	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
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IR2112S，高端IC，军工电子元器件，高压二极管，航空继电器，找兴中扬电子科技
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2019-12-2
IR2110
IR2110，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-8-25
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2019-8-21
IR2117-单通道驱动器
IR2117/IR2118（S）是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术，让坚固耐用单片式结构。逻辑输入兼容与标准CMOS输出。输出驱动器的功能专为高脉冲电流缓冲级最低跨导。浮动通道可以可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高或低侧配置经营至600伏特。特点•浮动通道引导操作设计完全运作，以600V容限来负瞬态电压的dV/dt的免疫•门极驱动电源电压范围从10至20V•欠压锁定•CMOS施密特触发输
2012-11-13

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