型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IR21084STR

封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:管件 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器

Infineon

英飞凌

HALF-BRIDGE DRIVER

Description The IR2108(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or

IRF

HALF-BRIDGE DRIVER

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Infineon

英飞凌

封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器

Infineon

英飞凌

HALF-BRIDGE DRIVER

Description The IR2108(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or

IRF

HALF-BRIDGE DRIVER

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Infineon

英飞凌

HALF BRIDGE GATE DRIVER IN SO-14

文件:770.98 Kbytes Page:12 Pages

DIODES

美台半导体

IR21084STR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IR21084STR

  • 功能描述

    IC DRIVER HALF BRIDGE 14SOIC

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关

  • 系列

    -

  • 标准包装

    50

  • 系列

    -

  • 配置

    高端

  • 输入类型

    非反相

  • 延迟时间

    200ns 电流 -

  • 250mA

  • 配置数

    1

  • 输出数

    1 高端电压 -

  • 最大(自引导启动)

    600V

  • 电源电压

    12 V ~ 20 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 125°C

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    8-DIP(0.300,7.62mm)

  • 供应商设备封装

    8-DIP

  • 包装

    管件

  • 其它名称

    *IR2127

更新时间:2025-11-20 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
SOP-14
2669
深耕行业12年,可提供技术支持。
IR
24+
NA/
3897
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
Infineon Technologies
22+
14SOIC
9000
原厂渠道,现货配单
IR
25+
SOP-14
2987
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电!
131
P14
IR
614
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IR1
24+
SOT-2500&NBS
4500
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
IR
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SOP-8
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
ir
24+
N/A
6980
原装现货,可开13%税票
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    IR2104STRPBF 原装代理现货 可追溯原厂含税出

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  • IR2110

    IR2110,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    IR2111,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    说明 在IR2103(S)的高电压,高速动力供养高,MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10至20V •欠压锁定

    2013-2-9