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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IR21084STRPBF | 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | ||
HALF-BRIDGEDRIVER Description TheIR2108(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSor | IRF International Rectifier | |||
HALF-BRIDGEDRIVER 文件:329.62 Kbytes Page:23 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | |||
HALF-BRIDGEDRIVER Description TheIR2108(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSor | IRF International Rectifier | |||
HALF-BRIDGEDRIVER 文件:329.62 Kbytes Page:23 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | |||
HALFBRIDGEGATEDRIVERINSO-14 文件:770.98 Kbytes Page:12 Pages | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 |
IR21084STRPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IR21084STRPBF
- 功能描述
功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 10 to 20V
- RoHS
否
- 制造商
Micrel
- 产品
MOSFET Gate Drivers
- 类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
- 电源电压-最大
30 V
- 电源电压-最小
2.75 V
- 最大工作温度
+ 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-8
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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IR |
24+ |
SOP14 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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IR |
24+ |
SOP14 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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IR |
24+ |
SOP14 |
608 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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INFINEON |
25+ |
NA |
518000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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IR |
1923+ |
SOP14 |
5000 |
正品原装品质假一赔十 |
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Infineon Technologies |
22+ |
14SOIC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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Infineon Technologies |
24+ |
14-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
25361 |
英飞凌电源管理芯片-原装正品 |
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Internationa |
25+ |
14-SOICN |
3216 |
原装正品 价格优势 |
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IOR |
22+ |
SOP14 |
5000 |
IR21084STRPBF规格书下载地址
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2019-8-21IR2103-半桥驱动器
说明在IR2103(S)的高电压,高速动力供养高,MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠压锁定
2013-2-9
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