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IR2107

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Description The IR2106/IR21064/IR2107/IR21074 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with

IRF

IR2107

封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 包装:管件 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP 集成电路(IC) 栅极驱动器

INFINEON

英飞凌

IR2107

IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 8-DIP

INFINEON

英飞凌

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Description The IR2106/IR21064/IR2107/IR21074 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with

IRF

封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:散装 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器

INFINEON

英飞凌

IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 14SOIC

INFINEON

英飞凌

IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 8-SOIC

INFINEON

英飞凌

DC VOLUME, TONE CONTROL CIRCUIT

DC VOLUME, TONE CONTROL CIRCUIT The KA2107 is a monolithic integrated circuit designed for 2 channel volume and tone control. FEATURES • Easier compact set design • All function enable DC controllable FUNCTIONS • DC Volume Control • DC Tone Control (Bass & Treble) • Balance Control (R,

SAMSUNG

三星

PNP (SWITCHING APPLICATION)

Switching Application (Bias Resistor Built In) • Switching Circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor (R1 =22KΩ, R2=47KΩ) • Complement to KSR1107

SAMSUNG

三星

RECTIFIER DIODE

FEATURES ■ Double Side Cooling ■ High Surge Capability APPLICATIONS ■ Rectification ■ Freewheel Diode ■ DC Motor Control ■ Power Supplies ■ Welding ■ Battery Chargers

TRSYS

Transys Electronics

SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIER

文件:220.66 Kbytes Page:6 Pages

NJRC

日本无线

SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIER

文件:220.66 Kbytes Page:6 Pages

NJRC

日本无线

IR2107产品属性

  • 类型

    描述

  • 通道类型:

    独立式

  • 驱动器数:

    2

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 电源:

    10 V ~ 20 V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.7V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    200mA,350mA

  • 输入类型:

    反相

  • 高压侧电压 - 最大值(自举):

    600V

  • 上升/下降时间(典型值):

    150ns,50ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    8-DIP(0.300\,7.62mm)

  • 供应商器件封装:

    8-PDIP

更新时间:2026-5-24 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
11665
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。
IOR
24+
SOP8
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
IR
25+
SOP-8
880000
明嘉莱只做原装正品现货
IR
22+
DIP
8000
原装正品支持实单
IR
24+
DIP-14
450
IR
2019+
SOP14
3333
原厂渠道 可含税出货
IR
23+
SOP8
5000
原装正品,假一罚十
INFINEON/英飞凌
25+
DIP14
1200
全新原装正品支持含税
IR
24+
SOP-8
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
IOR
22+
SOP8
20000
公司只做原装 品质保障

IR2107数据表相关新闻

  • IR2110STRPBF

    IR2110STRPBF

    2023-4-14
  • IR2104STRPBF

    IR2104STRPBF

    2021-8-9
  • IR2104STRPBF 原装代理现货 可追溯原厂含税出

    IR2104STRPBF 原装代理现货 可追溯原厂含税出

    2020-11-9
  • IR2110

    IR2110,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-8-25
  • IR2111

    IR2111,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-8-21
  • IR2103-半桥驱动器

    说明 在IR2103(S)的高电压,高速动力供养高,MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10至20V •欠压锁定

    2013-2-9