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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIR2106/IR21064/IR2107/IR21074arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.Thelogicinputiscompatiblewith | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   | |
HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIR2106/IR21064/IR2107/IR21074arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.Thelogicinputiscompatiblewith | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
HIGH-SIDEANDLOW-SIDEGATEDRIVERINSO-14(TypeTH) Features -FloatingHigh-SideDriverinBootstrapOperationto600V -DrivesTwoN-ChannelMOSFETsorIGBTsinHalfBridgeConfiguation -OutputsToleranttoNegativeTransients -WideLogicandLow-SideGateDriverSupplyVoltage:10Vto20V -WideLogicSupplyVoltageOffsetVoltage:-5Vto | DIODESDiodes Incorporated 达尔科技 |  | | |
HIGH-SIDEANDLOW-SIDEGATEDRIVERINSO-14 文件：772.33 Kbytes Page：11 Pages | DIODESDiodes Incorporated 达尔科技 | | | |
HIGH-SIDEANDLOW-SIDEGATEDRIVER 文件：617.89 Kbytes Page：11 Pages | DIODESDiodes Incorporated 达尔科技 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
20+ |
SOP |
2960 |
诚信交易大量库存现货 |
|||
INFINEON |
1925+ |
SOP14 |
5685 |
全新原装公司现货
|
|||
IR |
SOP14 |
货真价实,假一罚十 |
25000 |
||||
infineon |
2210 |
7500 |
专注英飞凌 原装支持第三方机构检测 |
||||
IR |
23+ |
DIP14 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IR |
DIP-16 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
SOP14 |
11883 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
InfineonTechnologies |
19+ |
14-DIP |
56800 |
只卖原装正品!价格超越代理!可开增值税发票! |
|||
INTERNATIONALRECTIFIER |
21+ |
35200 |
一级代理/放心采购 |
||||
IR |
2022+ |
DIP14 |
8600 |
英瑞芯只做原装正品 |
IR21064SPBF-INF芯片相关品牌
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2023-4-14IR2104STRPBF
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2020-11-9IR2110
IR2110，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-8-25IR2111
IR2111，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-8-21IR2103-半桥驱动器
说明在IR2103（S）的高电压，高速动力供养高，MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠压锁定
2013-2-9
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