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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIR2106/IR21064/IR2107/IR21074arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.Thelogicinputiscompatiblewith | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   | |
HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIR2106/IR21064/IR2107/IR21074arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.Thelogicinputiscompatiblewith | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
HIGH-SIDEANDLOW-SIDEGATEDRIVERINSO-14(TypeTH) Features -FloatingHigh-SideDriverinBootstrapOperationto600V -DrivesTwoN-ChannelMOSFETsorIGBTsinHalfBridgeConfiguation -OutputsToleranttoNegativeTransients -WideLogicandLow-SideGateDriverSupplyVoltage:10Vto20V -WideLogicSupplyVoltageOffsetVoltage:-5Vto | DIODESDiodes Incorporated 达尔科技 |  | | |
HIGH-SIDEANDLOW-SIDEGATEDRIVERINSO-14 文件：772.33 Kbytes Page：11 Pages | DIODESDiodes Incorporated 达尔科技 | | | |
HIGH-SIDEANDLOW-SIDEGATEDRIVER 文件：617.89 Kbytes Page：11 Pages | DIODESDiodes Incorporated 达尔科技 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
DIP14 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
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IR |
DIP14 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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IR |
23+ |
SOP14 |
9982 |
原装优势公司现货! |
|||
IR |
22+ |
原厂封装 |
9025 |
原装正品，实单请联系 |
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INFINEON |
23+ |
SOP14 |
13670 |
原装进口、正品保障、合作持久 |
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Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
|||
IR |
18+ |
DIP14 |
12207 |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
|||
IR |
23+ |
DIP14 |
8890 |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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INFINEON |
2024 |
SOP14 |
19000 |
原装现货,欢迎咨询 |
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Infineon Technologies |
24+ |
14-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
26624 |
英飞凌电源管理芯片-原装正品 |
IR21064S(BLACK)芯片相关品牌
IR21064S(BLACK)规格书下载地址
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IR2104STRPBF原装代理现货可追溯原厂含税出
2020-11-9IR2110
IR2110，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-8-25IR2111
IR2111，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-8-21IR2103-半桥驱动器
说明在IR2103（S）的高电压，高速动力供养高，MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠压锁定
2013-2-9
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