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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IR2105S | HighVoltage,HighSpeedPowerMOSFETandIGBTDriver Description TheIR2105isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTTLo | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
IR2105S | 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：管件 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | |
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：管件 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
PhenolicBoxWithCover 文件：22.86 Kbytes Page：1 Pages | POMONA Pomona Electronics |  | | |
Fieldbus,16Pr#18StrTC,XLPOIns,IS/OS,TPEJkt,CMG 文件：257.37 Kbytes Page：3 Pages | BELDEN Belden Inc. |  | | |
HighCurrentToroidInductors 文件：117.11 Kbytes Page：1 Pages | BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士） |  | | |
HighCurrentToroidInductors 文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages | BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士） | | | |
HighCurrentToroidInductors 文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages | BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士） | | |
IR2105S产品属性
- 类型
描述
- 型号
IR2105S
- 制造商
IRF
- 制造商全称
International Rectifier
- 功能描述
High Voltage, High Speed Power MOSFET and IGBT Driver
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IOR |
22+ |
SMD |
2560 |
绝对原装!现货热卖! |
|||
IOR |
21374+ |
9750 |
进品原装正品 现货库存带17%增值发票 |
||||
IR |
23+ |
SOP8 |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
IOR |
20+/21+ |
PLCC |
5600 |
全新原装进口价格优惠 |
|||
IOR |
2015+ |
SOP/DIP |
19889 |
一级代理原装现货,特价热卖! |
|||
Infineon Technologies |
21+ |
8SOIC |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
13048 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
|||
IR |
23+ |
SOP8 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
IOR |
07+ |
SOP8 |
2000 |
||||
Infineon Technologies |
23+ |
8SOIC |
9000 |
原装正品，支持实单 |
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IR2105S规格书下载地址
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2020-11-9IR2110
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2019-8-21IR2103-半桥驱动器
说明在IR2103（S）的高电压，高速动力供养高，MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠压锁定
2013-2-9
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