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芯片资料

参考价格：￥3.0287

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型号	功能描述	生产厂家&企业
IR2104STRPBF	HALF-BRIDGEDRIVER Description TheIR2104(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2104STRPBF	封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路（IC）栅极驱动器	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
2104	3M??Scotchcast??ElectricalInsulatingResin2104 文件：77.63 Kbytes Page：4 Pages	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
2104	PhenolicBoxWithCover 文件：22.72 Kbytes Page：1 Pages	POMONA Pomona Electronics
2104A	Fieldbus,12Pr#18StrTC,XLPOIns,IS/OS,TPEJkt,CMG 文件：257.089 Kbytes Page：3 Pages	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司
2104-RC	HighCurrentToroidInductors 文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
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更新时间：2024-6-19 8:08:00

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深圳市东来宝电子科技有限公司	IR2104STRPBF驱动IC	INFINEON/英飞凌	22+		45500	郑重承诺只做原装进口现货	询价
深圳市宏桥达半导体有限公司	IR2104STRPBF	INFINEON/英飞凌	22+	SOP8	50000	原厂渠道/找正品元器件就找宏桥达/实报实货/诚信第一/	询价
深圳市华芯购电子有限公司	IR2104STRPBF	INFINEON	21+	SOP8	3475		询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	IR2104STRPBF	INFINEON/英飞凌	21+	SOP-8	10	原装现货假一赔十	询价
深圳市晴轩时代电子有限公司	IR2104STRPBF	Infineon/英飞凌	21+	SOIC-8_150mil	8800	公司只作原装正品	询价
深圳市力仕科电子科技有限公司	IR2104STRPBF	IR/国际整流器	2017+	SOIC-8	6000		询价
深圳市华芯源电子有限公司	IR2104STRPBF	IR	23+	SOP8	11522	专营厂家量大可定货	询价
深圳市芯城未来科技有限公司	IR2104STRPBF	IR/国际整流器	SOIC-8		6000		询价
深圳市雅芯通科技有限公司	IR2104STRPBF	INFINEON/英飞凌	24+	N/A	5000	只做原装正品现货	询价

IR2103STRPBF
IR2103STRPBF
2023-4-14
IR2101STRPBF
SOT-23-5MOSFETGateDriversSMD/SMT门驱动器,SOT-23-5MOSFETGateDriversSMD/SMT门驱动器,MP6528门驱动器,1Output1Driver门驱动器,SMD/SMT门驱动器,TSSOP-20门驱动器
2021-9-10
IR2104STRPBF
IR2104STRPBF
2021-8-9
IR2104STRPBF 原装代理现货可追溯原厂含税出
IR2104STRPBF原装代理现货可追溯原厂含税出
2020-11-9
IR2110
IR2110，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-8-25
IR2103-半桥驱动器
说明在IR2103（S）的高电压，高速动力供养高，MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠压锁定
2013-2-9