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IR2102PBF价格
参考价格：￥5.9219
型号：IR2102PBF 品牌：Internation.Rectifer 备注：这里有IR2102PBF多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IR2102PBF批发/采购报价，IR2102PBF行情走势销售排行榜，IR2102PBF报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IR2102PBF | HIGH AND LOW SIDE DRIVER 文件：144.27 Kbytes Page：14 Pages | IRF |   | |
IR2102PBF | 封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm） 包装：管件 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP 集成电路（IC） 栅极驱动器 | INFINEON 英飞凌 | | |
Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns Description: The NTE2101 is a high–speed 1024 x 1 bit static random access read/write memory in a 16–Lead DIP type package designed using N–Channel depletion mode silicon gate technology. Static storage cells eliminate the need for clock or refresh circuitry. Low threshold silicon gate N–Cha | NTE | | ||
SYSTEM RESET IC 文件：314.14 Kbytes Page：11 Pages | NJRC 日本无线 | | ||
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IR2102PBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IR2102PBF
- 功能描述
功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 160ns
- RoHS
否
- 制造商
Micrel
- 产品
MOSFET Gate Drivers
- 类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
- 电源电压-最大
30 V
- 电源电压-最小
2.75 V
- 最大工作温度
+ 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-8
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
22+ |
8DIP |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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IR |
25+23+ |
DIP |
15497 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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IR |
24+ |
65230 |
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IR |
23+ |
DIP32 |
29546 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
IR |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
PDIP8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
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Infineon/英飞凌 |
21+ |
PDIP8 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
IR |
24+ |
DIP |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
IR |
24+ |
DIP8 |
3200 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
IR |
22+ |
DIP8 |
8000 |
原装正品支持实单 |
IR2102PBF规格书下载地址
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2021-9-10IR2104STRPBF
IR2104STRPBF
2021-8-9IR2085S-高速，100V的，自振荡50％的占空比，半桥式驱动器
说明 该IR2085S是自激式半桥和50％占空比驱动IC理想适合于36V-75V的半桥式DC总线转换器。本产品还适用于推挽没有根据输入电压的限制转换器。每个通道的频率为fOSC，其中fosc的逆转录可以通过选择和CT组，其中fosc的≈1 /（2 * RT.CT）。死区时间可控制，通过选择合适的CT范围可以从50到200nsec。内部软启动过程中增加了脉冲宽度电脉冲宽度，并保持在整个上升周期开始的高，低产出的匹配。该IR2085S在启动后，每过电流和电源软启动条件。欠压锁定阻止如果VCC小于7.5Vdc操作。 特点 •简单的初
2013-2-10IR2103-半桥驱动器
说明 在IR2103（S）的高电压，高速动力供养高，MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10至20V •欠压锁定
2013-2-9
DdatasheetPDF页码索引
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