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IR2101S价格
参考价格:¥3.3652
型号:IR2101SPBF 品牌:International 备注:这里有IR2101S多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IR2101S批发/采购报价,IR2101S行情走势销售排行榜,IR2101S报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IR2101S | HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IR2101(S)/IR2102(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard | IRF | ||
IR2101S | HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IR2101(S)/IR2102(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard | Infineon 英飞凌 | ||
IR2101S | 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:散装 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器 | Infineon 英飞凌 | ||
IR2101S | 600 V high-side and low-side gate driver IC | Infineon 英飞凌 | ||
HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IR2101(S)/IR2102(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard | IRF | |||
IR2101S是一款半桥前级驱动IC,能够驱动一对功率器件(IGBT/N-MOSFET)。适用于具有外部自举二极管的典型自举架构。具备UVLO(欠压锁定)和交叉导通防护功能。 文件:2.666102 Mbytes Page:8 Pages | ||||
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:管件 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器 | Infineon 英飞凌 | |||
HIGH AND LOW SIDE DRIVER Product Summary 文件:144.27 Kbytes Page:14 Pages | IRF | |||
Insertion flowmeter with paddle wheel, ELEMENT design The device Type 8026 is specially designed for measuring the flow rate in solid-free liquids in a variety of applications (water treatment, waste water monitoring, chemical processing, etc.). The Bürkert-designed fitting system ensures simple installation of the device into all pipes from DN 20 | BURKERT 宝帝流体控制系统 | |||
HIGH SPEED SMT MAGNETIC MODULES 文件:172.02 Kbytes Page:5 Pages | XFMRS | |||
One-way flow control valve 文件:83.25 Kbytes Page:1 Pages | FESTOFesto Corporation. 费斯托费斯托(中国)有限公司 | |||
Snap Bushings 文件:133.28 Kbytes Page:1 Pages | Heyco | |||
Insert Molded Coil 文件:51.89 Kbytes Page:1 Pages | FRONTIER Frontier Electronics |
IR2101S产品属性
- 类型
描述
- 型号
IR2101S
- 功能描述
IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC
- RoHS
否
- 类别
集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
- 系列
-
- 标准包装
50
- 系列
-
- 配置
低端
- 输入类型
非反相
- 延迟时间
40ns 电流 -
- 峰
9A
- 配置数
1
- 输出数
1 高端电压 -
- 最大(自引导启动)
-
- 电源电压
4.5 V ~ 35 V
- 工作温度
-40°C ~ 125°C
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA
- 供应商设备封装
TO-263
- 包装
管件
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
24+ |
NA/ |
55385 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
SOP8 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
IR |
2016+ |
SOP8 |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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IR |
23+ |
8-lead SOIC |
20000 |
全新原装假一赔十 |
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IOR |
24+ |
SOP8 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
SOP-8 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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IR |
25+ |
SOP |
57488 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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24+ |
SOP8 |
20000 |
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
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IR |
24+/25+ |
SOP-8 |
10000 |
原装正品现货库存价优 |
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25+ |
SOP8 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
IR2101S规格书下载地址
IR2101S参数引脚图相关
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温度计有一个瞄准激光器,温度范围从 -4°F 到 +752°F
2021-11-6IR2101STRPBF
SOT-23-5 MOSFET Gate Drivers SMD/SMT 门驱动器 , SOT-23-5 MOSFET Gate Drivers SMD/SMT 门驱动器 , MP6528 门驱动器 , 1 Output 1 Driver 门驱动器 , SMD/SMT 门驱动器 , TSSOP-20 门驱动器
2021-9-10IR2085S-高速,100V的,自振荡50%的占空比,半桥式驱动器
说明 该IR2085S是自激式半桥和50%占空比驱动IC理想适合于36V-75V的半桥式DC总线转换器。本产品还适用于推挽没有根据输入电压的限制转换器。每个通道的频率为fOSC,其中fosc的逆转录可以通过选择和CT组,其中fosc的≈1 /(2 * RT.CT)。死区时间可控制,通过选择合适的CT范围可以从50到200nsec。内部软启动过程中增加了脉冲宽度电脉冲宽度,并保持在整个上升周期开始的高,低产出的匹配。该IR2085S在启动后,每过电流和电源软启动条件。欠压锁定阻止如果VCC小于7.5Vdc操作。 特点 •简单的初
2013-2-10IR2103-半桥驱动器
说明 在IR2103(S)的高电压,高速动力供养高,MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10至20V •欠压锁定
2013-2-9
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