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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SURFACE MOUNTABLE INPUT RECTIFIER DIODE Description/Features The 20ETS..FP rectifier SAFEIR series has been optimized for very low forward voltage drop, with moderate leakage. The glass passivation technology used has reliable operation up to 150°C junction temperature. Typical applications are in input rectification and these product | IRF |   | ||
INPUT RECTIFIER DIODE VF | IRF | | ||
Input Rectifier Diode FEATURES · Low forward voltage drop · High frequency operation APPLICATIONS · International Rectifier Switches · Output Rectifiers | ISC 无锡固电 | | ||
SURFACE MOUNTABLE INPUT RECTIFIER DIODE Description/Features The 20ETS..FP rectifier SAFEIR series has been optimized for very low forward voltage drop, with moderate leakage. The glass passivation technology used has reliable operation up to 150°C junction temperature. Typical applications are in input rectification and these product | IRF | | ||
Input Rectifier Diode, 20 A DESCRIPTION/FEATURES The 20ETS..FPPbF rectifier High Voltage Series has been optimized for very low forward voltage drop, with moderate leakage. The glass passivation technology used has reliable operation up to 150 °C junction temperature. Typical applications are in input rectification and the | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
24+ |
TO-220AB |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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IR |
2016+ |
TO-220AC |
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房间原装进口现货假一赔十 |
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IR |
24+ |
TO-263 |
501210 |
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IR |
23+ |
TO-220AC |
35890 |
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IR |
23+ |
NA |
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专做原装正品,假一罚百! |
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24+ |
8866 |
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IR |
新 |
32 |
全新原装 货期两周 |
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Vishay |
32580 |
原装现货 |
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VISHAY |
2023+ |
TO-220 |
58000 |
进口原装,现货热卖 |
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INTERNATIONALRECTIFIER |
23+ |
11608 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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2021-9-10IR2085S-高速，100V的，自振荡50％的占空比，半桥式驱动器
说明 该IR2085S是自激式半桥和50％占空比驱动IC理想适合于36V-75V的半桥式DC总线转换器。本产品还适用于推挽没有根据输入电压的限制转换器。每个通道的频率为fOSC，其中fosc的逆转录可以通过选择和CT组，其中fosc的≈1 /（2 * RT.CT）。死区时间可控制，通过选择合适的CT范围可以从50到200nsec。内部软启动过程中增加了脉冲宽度电脉冲宽度，并保持在整个上升周期开始的高，低产出的匹配。该IR2085S在启动后，每过电流和电源软启动条件。欠压锁定阻止如果VCC小于7.5Vdc操作。 特点 •简单的初
2013-2-10IR2103-半桥驱动器
说明 在IR2103（S）的高电压，高速动力供养高，MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10至20V •欠压锁定
2013-2-9
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