| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
POWER TRANSISTORS(5.0A,1300-1500V,55W) 5.0 AMPERE POWER TRANSISTORS 1300-1500 VOLTS 55 WATTS | MOSPEC 统懋 | |||
5.0 AMPERES NPN SILICON POWER TRANSISTOR 700 VOLTS Horizontal Deflection Transistor . . . designed for use in televisions. • Collector–Emitter Voltages VCES 1500 Volts • Fast Switching — 400 ns Typical Fall Time • Low Thermal Resistance 1°C/W Increased Reliability • Glass Passivated (Patented Photoglass). Triple Diffused Mesa Te | MOTOROLA 摩托罗拉 | |||
POWER TRANSISTORS(5.0A,1300-1500V,55W) 5.0 AMPERE POWER TRANSISTORS 1300-1500 VOLTS 55 WATTS | MOSPEC 统懋 | |||
SMALL OUTLINE OPTOISOLATORS TRANSISTOR OUTPUT These devices consist of a gallium arsenide infrared emitting diode optically coupled to a monolithic silicon phototransistor detector, in a surface mountable, small outline, plastic package. They are ideally suited for high density applications, and eliminate the need for through–the–board mounti | MOTOROLA 摩托罗拉 | |||
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(2.0A,70-100V) SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 2.0A 70-100V | MOSPEC 统懋 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RECRON |
23+ |
TO220 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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MCC |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
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原厂专营 |
BGA |
172 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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26+ |
N/A |
69000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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SUNMATE(森美特) |
2019+ROHS |
DO-15 |
66688 |
森美特高品质产品原装正品免费送样 |
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高价收此货 |
2447 |
BGA |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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TSC/台湾半导体 |
23+ |
DO-15 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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TSC |
25+ |
DO-15 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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Micro Commercial Components |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
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MICRO |
25+ |
DO-41 |
3675 |
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2021-11-6IR2101STRPBF
SOT-23-5 MOSFET Gate Drivers SMD/SMT 门驱动器 , SOT-23-5 MOSFET Gate Drivers SMD/SMT 门驱动器 , MP6528 门驱动器 , 1 Output 1 Driver 门驱动器 , SMD/SMT 门驱动器 , TSSOP-20 门驱动器
2021-9-10IR2085S-高速,100V的,自振荡50%的占空比,半桥式驱动器
说明 该IR2085S是自激式半桥和50%占空比驱动IC理想适合于36V-75V的半桥式DC总线转换器。本产品还适用于推挽没有根据输入电压的限制转换器。每个通道的频率为fOSC,其中fosc的逆转录可以通过选择和CT组,其中fosc的≈1 /(2 * RT.CT)。死区时间可控制,通过选择合适的CT范围可以从50到200nsec。内部软启动过程中增加了脉冲宽度电脉冲宽度,并保持在整个上升周期开始的高,低产出的匹配。该IR2085S在启动后,每过电流和电源软启动条件。欠压锁定阻止如果VCC小于7.5Vdc操作。 特点 •简单的初
2013-2-10IR2103-半桥驱动器
说明 在IR2103(S)的高电压,高速动力供养高,MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10至20V •欠压锁定
2013-2-9
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