| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
100 Watts, 1.8-2.0 GHz PCN/PCS Power Transistor Description The 20125 is an NPN, push-pull RF power transistor intended for 26 Vdc class AB operation from 1.8 to 2.0 GHz. Rated at 100 watts PEP minimum output power, it is specifically intended for operation as a final stage in CDMA or TDMA systems. Ion implantation, nitride surface passivation | ERICSSON 爱立信 |   | ||
5A, 500kHz PowerWise짰 Synchronous Buck Regulator 文件：580.07 Kbytes Page：20 Pages | NSC 国半 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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INFINEON |
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高频管 |
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DONGE |
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ERICSSON/爱立信 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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EVERLIGHT |
13+ |
9068 |
原装分销 |
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INFINEON |
23+ |
n/a |
7000 |
||||
ERICSSON/爱立信 |
26+ |
197 |
现货供应 |
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Bourns |
25+ |
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2021-9-10IR2085S-高速，100V的，自振荡50％的占空比，半桥式驱动器
说明 该IR2085S是自激式半桥和50％占空比驱动IC理想适合于36V-75V的半桥式DC总线转换器。本产品还适用于推挽没有根据输入电压的限制转换器。每个通道的频率为fOSC，其中fosc的逆转录可以通过选择和CT组，其中fosc的≈1 /（2 * RT.CT）。死区时间可控制，通过选择合适的CT范围可以从50到200nsec。内部软启动过程中增加了脉冲宽度电脉冲宽度，并保持在整个上升周期开始的高，低产出的匹配。该IR2085S在启动后，每过电流和电源软启动条件。欠压锁定阻止如果VCC小于7.5Vdc操作。 特点 •简单的初
2013-2-10IR1210-双低侧驱动器
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2012-11-14
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