| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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256KB and 512KB BurstRAM Secondary Cache Modules for PowerPC PReP/CHRP Platforms The MPC2004 and MPC2005 are designed to provide burstable, high performance 256KB/512KB L2 cache for the PowerPC 60x microprocessor family in conformance with the PowerPC Reference Platform (PReP) and the PowerPC Common Hardware Reference Platform (CHRP) specifications. The modules are configured | MOTOROLA 摩托罗拉 |   | ||
POWER RECTIFIERS(20A,50-200V) Switchmode Full Plastic Dual Ultrafast Power Rectifiers ... Designed for use in switching power supplies, inverters and as free wheeling diodes. These state-of-the-art devices have the following features: ✱ High Surge Capacity ✱ Low Power Loss, High Efficiency ✱ Glass Passivated chip junction | MOSPEC 统懋 | | ||
LM2005 20 Watt Automotive Power Amplifier 文件：205.68 Kbytes Page：8 Pages | NSC 国半 | | ||
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IR2011STRPBF 栅极驱动器
IR2011STRPBF
2024-11-26IR1KIT红外线温度计
温度计有一个瞄准激光器，温度范围从 -4°F 到 +752°F
2021-11-6IR2101STRPBF
SOT-23-5 MOSFET Gate Drivers SMD/SMT 门驱动器 , SOT-23-5 MOSFET Gate Drivers SMD/SMT 门驱动器 , MP6528 门驱动器 , 1 Output 1 Driver 门驱动器 , SMD/SMT 门驱动器 , TSSOP-20 门驱动器
2021-9-10IR1175-同步整流驱动
特点 提供恒定的和适当的栅极驱动电源不论MOSFET的变压器输出 最大限度地减少损失功率MOSFET体漏极二极管的导通 单机操作 - 初级端没有任何联系 双脉冲抑制施密特触发输入允许在嘈杂的环境中运行 高电流驱动能力 - 2A型 高速运转 - 2MHz的 适应多种拓扑结构，如单端（未来，双端进） 说明 该IR1175是一款高速CMOS控制器设计以驱动N沟道功率MOSFET的使用为同步在大电流，高频率整流器前进转换器具有等于或低于5V直流
2013-3-2IR2085S-高速，100V的，自振荡50％的占空比，半桥式驱动器
说明 该IR2085S是自激式半桥和50％占空比驱动IC理想适合于36V-75V的半桥式DC总线转换器。本产品还适用于推挽没有根据输入电压的限制转换器。每个通道的频率为fOSC，其中fosc的逆转录可以通过选择和CT组，其中fosc的≈1 /（2 * RT.CT）。死区时间可控制，通过选择合适的CT范围可以从50到200nsec。内部软启动过程中增加了脉冲宽度电脉冲宽度，并保持在整个上升周期开始的高，低产出的匹配。该IR2085S在启动后，每过电流和电源软启动条件。欠压锁定阻止如果VCC小于7.5Vdc操作。 特点 •简单的初
2013-2-10IR1210-双低侧驱动器
IR1210是一个低电压，高速动力MOSFET和IGBT驱动器。专有闩锁免疫CMOS技术，让坚固耐用的单片建设。逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出。输出驱动器配备高脉冲电流缓冲级，设计最小驱动器跨导。传播两个通道之间的延迟匹配。 特点 •门极驱动电源电压范围从6至20V •CMOS施密特触发输入上拉 •为两个通道相匹配的传播延迟 •输出与输入相
2012-11-14
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