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IPW65R155CFD7

650V CoolMOS짧 CFD7 SJ Power Device

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Infineon

英飞凌

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650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET 集成快速体二极管,采用 TO-247 封装,是谐振高功率拓扑的完美选择

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650V CoolMOSª CFD7 SJ Power Device

Features • Ultra-fast body diode • 650V break down voltage • Best-in-class RDS(on) • Reduced switching losses • Low RDS(on) dependency over temperature Benefits • Excellent hard commutation ruggedness • Extra safety margin for designs with increased bus voltage • Enabling increased powe

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更新时间:2025-12-18 23:00:00
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