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IPW60R041C6价格
参考价格：￥49.2899
型号：IPW60R041C6 品牌：Infineon 备注：这里有IPW60R041C6多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IPW60R041C6批发/采购报价，IPW60R041C6行情走势销售排行榜，IPW60R041C6报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPW60R041C6 | 600V CoolMOS C6 Power Transistor 600V CoolMOS C6 Power Transistor Features • Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss • Very high commutation ruggedness • Easy to use/drive • JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen free Applications PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching PWM s | Infineon 英飞凌 |   | |
IPW60R041C6 | N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.45 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
IPW60R041C6 | 500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET | Infineon 英飞凌 | | |
N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.45 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
IPW60R041C6产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPW60R041C6
- 功能描述
MOSFET N-CH 600V C6 P-TRANS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-247 |
5524 |
原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-247 |
8000 |
只做原装正品现货 |
|||
INFINEO |
24+ |
TO-247 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO247 |
7850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
25+ |
SMD |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
- |
22048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
INF |
24+ |
SMD |
11 |
全新正品现货供应特价库存 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-247 |
9080 |
只做原装,质量保证 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2025+ |
TO-247 |
800 |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
IPW60R041C6芯片相关品牌
IPW60R041C6规格书下载地址
IPW60R041C6参数引脚图相关
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2022-10-27IPS1011SPBF
原装正品现货
2022-5-18IPW60R041P6原装现货
IPW60R041P6原装正品
2021-8-11IPW60R080P7
IPW60R080P7，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-20IPW60R060P7
IPW60R060P7
2019-7-9IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关
IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。 特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位
2012-11-14
DdatasheetPDF页码索引
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