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芯片资料

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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
IPW60R024CFD7	600V CoolMOSª CFD7 Power Transistor Features • Ultra-fast body diode • Low gate charge • Best-in-class reverse recovery charge (Qrr) • Improved MOSFET reverse diode dv/dt and diF/dt ruggedness • Lowest FOM RDS(on)Qg and RDS(on)Eoss • Best-in-class RDS(on) in SMD and THD packages Benefits • Excellent hard commutation rugg	Infineon 英飞凌	Infineon
IPW60R024CFD7	600V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET，采用 TO-247 封装，集成快速体二极管，是谐振高功率拓扑的完美选择	Infineon 英飞凌	Infineon
IPW60R024CFD7XKSA1	600V CoolMOSª CFD7 Power Transistor Features • Ultra-fast body diode • Low gate charge • Best-in-class reverse recovery charge (Qrr) • Improved MOSFET reverse diode dv/dt and diF/dt ruggedness • Lowest FOM RDS(on)Qg and RDS(on)Eoss • Best-in-class RDS(on) in SMD and THD packages Benefits • Excellent hard commutation rugg	Infineon 英飞凌	Infineon
IPW60R024CFD7XKSA1	MOSFET HIGH POWER_NEW	Infineon 英飞凌	Infineon

IPW60R024CFD7供应商更多...

更新时间：2025-12-17 8:45:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市天芯威科技有限公司	IPW60R024CFD7XKSA1	Infineon(英飞凌)	23+		25650	新到现货,只做原装进口	询价
深圳市诺美思科技有限公司	IPW60R024CFD7	Infineon		原厂封装	9800	原装进口公司现货假一赔百	询价
深圳市中赛美电子科技有限公司	IPW60R024CFD7	Infineon/英飞凌	23+	PG-TO247-3	12700	买原装认准中赛美	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	IPW60R024CFD7	Infineon(英飞凌)	24+	TO-247	5524	原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持	询价
深圳市晨豪科技有限公司	IPW60R024CFD7	INFINEON/英飞凌	23+	TO-247	89630	当天发货全新原装现货	询价
深圳市力仕科电子科技有限公司	IPW60R024CFD7	Infineon/英飞凌	25	PG-TO247-3	6000	原装正品	询价
深圳深宇韬电子科技有限公司	IPW60R024CFD7	INFINEON	22+	sot	6600	正品渠道现货,终端可提供BOM表配单。	询价
深圳良洲科技有限公司	IPW60R024CFD7	INFINEON	23+	NA	10000	原装现货,实单价格可谈	询价
深圳市亿智腾科技有限公司	IPW60R024CFD7XKSA1	Infineon Technologies	24+	原装	5000	原装正品,提供BOM配单服务	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	IPW60R024CFD7	Infineon(英飞凌)	24+	NA/	8735	原厂直销,现货供应,账期支持!	询价

IPS1025HFQ 高压侧开关
STMicroelectronics 采用 M0T5 VIPower 技术的单片架构采用了 QFN48L 封装
2022-10-27
IPS1011SPBF
原装正品现货
2022-5-18
IPW60R041P6原装现货
IPW60R041P6原装正品
2021-8-11
IPW60R080P7
IPW60R080P7，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-20
IPW60R060P7
IPW60R060P7
2019-7-9
IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关
IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位
2012-11-14