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IPU10N03LA

丝印代码:10N03LA;OptiMOS2 Power-Transistor

Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant

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英飞凌

IPU10N03LA

丝印代码:10N03LA;OptiMOS짰2 Power-Transistor

Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant

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IPU10N03LA

MOSFET N-CH 25V 30A IPAK

INFINEON

英飞凌

OptiMOS짰2 Power-Transistor

Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant

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MOSFET N-CH 25V 30A IPAK

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丝印代码:10N03LA;OptiMOS2 Power-Transistor

Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant

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SINGLE TMOS POWER MOSFET 10 AMPERES 30 VOLTS

EZFETs™ are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density TMOS process and contain monolithic back–to–back zener diodes. These zener diodes provide protection against ESD and unexpected transients. • Zener Protected Gates Provide Electrostatic Discharge Protection

MOTOROLA

摩托罗拉

丝印代码:10N03L;OptiMOS Buck converter series

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IPU10N03LA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPU10N03LA

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 25V 30A IPAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    OptiMOS™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-5-18 16:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
24+
IPAK(TO-251)
8866
INFINEON
23+
TO251
2575
原厂原装正品
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
INFINE0N
23+
TO-251
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
Infineon Technologies
22+
TO2513 Short Leads IPak TO251A
9000
原厂渠道,现货配单
INFINEO
24+
TO251
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
Infineon
25+
TO-251AA-3
60000
原厂正规渠道现货、保证原装正品
INFINEON
23+
7000
INFINEON
23+
8000
专注配单,只做原装进口现货
INFINEON
22+
TO-251
20000
公司只做原装 品质保障

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    原装正品现货

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  • IPW60R041P6原装现货

    IPW60R041P6原装正品

    2021-8-11
  • IPW60R080P7

    IPW60R080P7,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-9-20
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    IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET,具有过电流,超温,防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。 特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位

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