型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IPU10N03LA

OptiMOS2 Power-Transistor

Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant

Infineon

英飞凌

IPU10N03LA

OptiMOS짰2 Power-Transistor

Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant

Infineon

英飞凌

IPU10N03LA

MOSFET N-CH 25V 30A IPAK

Infineon

英飞凌

OptiMOS짰2 Power-Transistor

Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant

Infineon

英飞凌

MOSFET N-CH 25V 30A IPAK

Infineon

英飞凌

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G10N03S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

OptiMOS Buck converter series

文件:452.29 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.7366 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.83276 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N -C hannel E nhancem ent M ode Field E ffect Transistor

文件:655.67 Kbytes Page:6 Pages

ADV

爱德微

IPU10N03LA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPU10N03LA

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 25V 30A IPAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    OptiMOS™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-22 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEO
24+
TO251
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
INFINEON
1427+
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TO-251
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售
INFINEON
24+
TO251
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
INFINEON
24+
IPAK(TO-251)
8866
Infineon Technologies
22+
TO2513 Short Leads IPak TO251A
9000
原厂渠道,现货配单
INFINEON
23+
TO251
7000
INFINEON
23+
TO251
8000
只做原装现货
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
JINGDAO/晶导微
23+
SMB
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!

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    IPW60R080P7,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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