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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET 文件：143.59 Kbytes Page：4 Pages | PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司 |  |   | |
N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：1.68919 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET 文件：1.46905 Mbytes Page：6 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET 文件：1.46926 Mbytes Page：6 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
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IPU06N03LBG产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPU06N03LBG
- 功能描述
MOSFET N-KANAL POWER MOS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT |
160202 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
VBsemi/台湾微碧 |
21+ |
TO-252 |
32012 |
原装现货假一赔十 |
|||
VBsemi |
2215+ |
TO252 |
4016 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
DTC |
23+ |
TO252 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
VBsemi |
21+ |
TO252 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VBSEMI |
19+ |
TO-252 |
29600 |
绝对原装现货,价格优势! |
|||
VB |
TO-252 |
608900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
||||
INFIEON |
06+07+ |
SOT263-2.5 |
196 |
||||
N |
23+ |
TO-251 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
CMOS |
24+25+/26+27+ |
TO-251-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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IPU06N03LBG规格书下载地址
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- jumper
- jtag接口
- jk触发器
- j111
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- irf540n
- irf540
- ir2110
- IPX8AH
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- IPX182
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2022-10-27IPS1011SPBF
原装正品现货
2022-5-18IPW60R041P6原装现货
IPW60R041P6原装正品
2021-8-11IPW60R080P7
IPW60R080P7，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-20IPW60R060P7
IPW60R060P7
2019-7-9IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关
IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点•在温度关机•在当前的关机•有源钳位
2012-11-14
DdatasheetPDF页码索引
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