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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：143.59 Kbytes Page：4 Pages | PANJIT 強茂 |   | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.68919 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET 文件：1.46905 Mbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET 文件：1.46926 Mbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET 文件：1.46972 Mbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
IPU06N03LBG产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPU06N03LBG
- 功能描述
MOSFET N-KANAL POWER MOS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT |
160202 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
3424 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
SOT252 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
infineon |
25+ |
TO-252 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
|||
DTC |
25+ |
TO252 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
AOS |
25+ |
TO-252 |
600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
INFINEON |
2450+ |
SOT |
6540 |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
|||
Infineon |
24+ |
TO252-3 |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
|||
INFINEON |
NEW |
TO252 |
12335 |
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-263 |
8000 |
原装正品支持实单 |
IPU06N03LBG规格书下载地址
IPU06N03LBG参数引脚图相关
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- ks20
- km710
- ka5q1265rf
- k9f1208
- k310
- k2698
- k233
- k2055
- k2010
- jumper
- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
- isd1420
- irf630
- irf540n
- irf540
- ir2110
- IPX8AH
- IPX185
- IPX184
- IPX182
- IPX0DW
- IPX0DS
- IPX0DM
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- IPX0CW
- IPX0CS
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- IPU103N08N3 G
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IPU06N03LBG数据表相关新闻
IPS1025HFQ 高压侧开关
STMicroelectronics 采用 M0T5 VIPower 技术的单片架构采用了 QFN48L 封装
2022-10-27IPS1011SPBF
原装正品现货
2022-5-18IPW60R041P6原装现货
IPW60R041P6原装正品
2021-8-11IPW60R080P7
IPW60R080P7，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-20IPW60R060P7
IPW60R060P7
2019-7-9IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关
IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。 特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位
2012-11-14
DdatasheetPDF页码索引
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