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芯片资料

参考价格：￥6.6495

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型号	功能描述	生产厂家&企业
IPU06N03LAG	OptiMOS짰2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
06N03	25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET 文件：143.59 Kbytes Page：4 Pages	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
06N03	N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：1.68919 Mbytes Page：7 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
06N03	N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET 文件：1.46905 Mbytes Page：6 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
06N03	N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET 文件：1.46926 Mbytes Page：6 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
06N03L	N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET 文件：1.46972 Mbytes Page：6 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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更新时间：2024-5-21 9:00:00

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IPS1025HFQ 高压侧开关
STMicroelectronics采用M0T5VIPower技术的单片架构采用了QFN48L封装
2022-10-27
IPS1011SPBF
原装正品现货
2022-5-18
IPW60R041P6原装现货
IPW60R041P6原装正品
2021-8-11
IPW60R080P7
IPW60R080P7，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-20
IPW60R060P7
IPW60R060P7
2019-7-9
IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关
IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点•在温度关机•在当前的关机•有源钳位
2012-11-14