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芯片资料

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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
IPL1-102-01-L-D-RA-K-FR	(2.54 mm) .100 PITCH • DISCRETE WIRE TERMINAL Insulator Material: Natural LCP Terminal Material: Phosphor Bronze Plating: Sn or Au over 50 µ (1.27 µm) Ni Operating Temp Range: -55 °C to +125 °C Voltage Rating: 675 VAC/954 VDC	Samtec 美国申泰	Samtec
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IPL1-102-01-L-SH-RA-K-FR	(2.54 mm) .100 PITCH • DISCRETE WIRE TERMINAL Insulator Material: Natural LCP Terminal Material: Phosphor Bronze Plating: Sn or Au over 50 µ (1.27 µm) Ni Operating Temp Range: -55 °C to +125 °C Voltage Rating: 675 VAC/954 VDC	Samtec 美国申泰	Samtec
IPL1-102-01-L-D-RA-K	DISCRETE WIRE HEADER (2.54 mm) .100 文件：216.13 Kbytes Page：1 Pages	Samtec 美国申泰	Samtec
IPL1-102-01-L-SH-RA-K	DISCRETE WIRE HEADER (2.54 mm) .100 文件：216.13 Kbytes Page：1 Pages	Samtec 美国申泰	Samtec

IPT1-102-01-S-D-VS供应商更多...

更新时间：2025-12-12 10:25:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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IPS1025HFQ 高压侧开关
STMicroelectronics 采用 M0T5 VIPower 技术的单片架构采用了 QFN48L 封装
2022-10-27
IPS1011SPBF
原装正品现货
2022-5-18
IPW60R041P6原装现货
IPW60R041P6原装正品
2021-8-11
IPW60R080P7
IPW60R080P7，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-20
IPW60R060P7
IPW60R060P7
2019-7-9
IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关
IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位
2012-11-14