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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPSH5N03LA | OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：325.29 Kbytes Page：10 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：325.29 Kbytes Page：10 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
SINGLE TMOS POWER MOSFET 5.0 AMPERES 30 VOLTS Medium Power Surface Mount Products TMOS Single N-Channel Field Effect Transistors MiniMOS™ devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density HDTMOS process. These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. | Motorola 摩托罗拉 | | ||
OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：325.29 Kbytes Page：10 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：325.29 Kbytes Page：10 Pages | Infineon 英飞凌 | |
IPSH5N03LA产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPSH5N03LA
- 制造商
INFINEON
- 制造商全称
Infineon Technologies AG
- 功能描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Stewadr |
20+ |
电感器 |
682000 |
电感原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
INFINEON |
24+ |
IPAKSL(TO-251SL) |
8866 |
||||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2513 Stub Leads IPak |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
KEXIN/科信 |
23+ |
SMD DIP |
475355779 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
LAIRD |
24+ |
6.2x6.6x3.0mm |
60811 |
专业电感电容电阻一站式配套齐可售样品 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO251-3 |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO251-3 |
7000 |
||||
INFINE0N |
23+ |
TO-251 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
LAIRD |
2023+ |
6.2x6.6x3.0 |
48000 |
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站 |
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IPSH5N03LA规格书下载地址
IPSH5N03LA参数引脚图相关
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- irf540n
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- IPS-FIVE
- IPSE.4.62SM600
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- IP-SDRAM/LPDDR2
- IP-SDRAM/HPDDR2
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IPSH5N03LA数据表相关新闻
IPS1025HFQ 高压侧开关
STMicroelectronics 采用 M0T5 VIPower 技术的单片架构采用了 QFN48L 封装
2022-10-27IPS1011SPBF
原装正品现货
2022-5-18IPW60R041P6原装现货
IPW60R041P6原装正品
2021-8-11IPW60R080P7
IPW60R080P7，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-20IPW60R060P7
IPW60R060P7
2019-7-9IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关
IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。 特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位
2012-11-14
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