位置:首页 > IC中文资料第8540页 > IPS6031PBF

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IPS6031PBF

INTELLIGENT POWER HIGH SIDE SWITCH

文件:727.83 Kbytes Page:14 Pages

IRF

IPS6031PBF

INTELLIGENT POWER HIGH SIDE SWITCH

INFINEON

英飞凌

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES • 30V, 60A, RDS(ON)=10mΩ @VGS=10V. RDS(ON)=15mΩ @VGS=4.5V. • Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). • High power and curent handing capability. • TO-220 & TO-263 package.

CET

华瑞

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES • 30V, 60A, RDS(ON)=10mΩ @VGS=10V. RDS(ON)=15mΩ @VGS=4.5V. • Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). • High power and curent handing capability. • TO-220 & TO-263 package.

CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 30V, 55A, RDS(ON) = 11mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 15mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package.

CET

华瑞

GENERAL PURPOSE MIDGET CLASS MCL

文件:620.75 Kbytes Page:5 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

GENERAL PURPOSE MIDGET CLASS MCL

文件:620.75 Kbytes Page:5 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

IPS6031PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPS6031PBF

  • 功能描述

    功率驱动器IC 40V 25A

  • RoHS

  • 制造商

    Micrel

  • 产品

    MOSFET Gate Drivers

  • 类型

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 电源电压-最大

    30 V

  • 电源电压-最小

    2.75 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-8

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-5-14 19:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
20+
na
65790
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IR
24+/25+
200
原装正品现货库存价优
IR
26+
TO-220-5
8238
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
IR
23+
TO-220
1600
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购!
IR
23+
TO220-5
32732
原装正品代理渠道价格优势
INTERNATIONA
24+
SOT-1368&NBS
4500
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
IR
2023+
TO-220-5
50000
原装现货
IR
23+
TO220-5
8000
只做原装现货
IR
23+
TO220-5
7000
IR
23+
TO-2525-L
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十

IPS6031PBF数据表相关新闻

  • IPS1025HFQ 高压侧开关

    STMicroelectronics 采用 M0T5 VIPower 技术的单片架构采用了 QFN48L 封装

    2022-10-27
  • IPS1011SPBF

    原装正品现货

    2022-5-18
  • IPW60R041P6原装现货

    IPW60R041P6原装正品

    2021-8-11
  • IPW60R080P7

    IPW60R080P7,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-9-20
  • IPW60R060P7

    IPW60R060P7

    2019-7-9
  • IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关

    IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET,具有过电流,超温,防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。 特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位

    2012-11-14