型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:143.59 Kbytes Page:4 Pages

PANJIT

強茂

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.68919 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET

文件:1.46905 Mbytes Page:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET

文件:1.46926 Mbytes Page:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET

文件:1.46972 Mbytes Page:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IPS06N03LZGXK产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPS06N03LZGXK

  • 制造商

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251

更新时间:2025-12-15 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
3424
原装现货,当天可交货,原型号开票
INFINEON/英飞凌
25+
TO-251
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
INFINEON/英飞凌
24+
SOT
160202
明嘉莱只做原装正品现货
24+
TO251
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
SOT252
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
INFINEON
23+
TO252
65480
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
DTC
25+
TO252
15000
全新原装现货,价格优势
INFINEON
2450+
SOT
6540
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品
INFINEON/英飞凌
22+
TO-263
8000
原装正品支持实单

IPS06N03LZGXK数据表相关新闻

  • IPQC60R010S7XTMA1

    IPQC60R010S7XTMA1

    2023-7-4
  • IPS1025HFQ 高压侧开关

    STMicroelectronics 采用 M0T5 VIPower 技术的单片架构采用了 QFN48L 封装

    2022-10-27
  • IPS1011SPBF

    原装正品现货

    2022-5-18
  • IPW60R041P6原装现货

    IPW60R041P6原装正品

    2021-8-11
  • IPP65R600C6优势原装Infineon局道

    IPP65R600C6 优势原装Infineon局道

    2019-3-27
  • IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关

    IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET,具有过电流,超温,防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。 特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位

    2012-11-14