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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
IPS04N03LAG	OptiMOS짰2Power-Transistor PackageMarking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
04N03	N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：1.60159 Mbytes Page：7 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
04N03	N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：1.6019 Mbytes Page：7 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
04N03L	N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：1.60163 Mbytes Page：7 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
04N03LA	N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：1.60163 Mbytes Page：7 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
04N03LA	OptiMOS짰2Power-Transistor 文件：302.31 Kbytes Page：10 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

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更新时间：2024-5-11 14:18:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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IPQC60R010S7XTMA1
IPQC60R010S7XTMA1
2023-7-4
IPS1025HFQ 高压侧开关
STMicroelectronics采用M0T5VIPower技术的单片架构采用了QFN48L封装
2022-10-27
IPS1011SPBF
原装正品现货
2022-5-18
IPW60R041P6原装现货
IPW60R041P6原装正品
2021-8-11
IPP65R600C6优势原装Infineon局道
IPP65R600C6优势原装Infineon局道
2019-3-27
IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关
IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点•在温度关机•在当前的关机•有源钳位
2012-11-14