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芯片资料

参考价格：￥2.2048

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型号	功能描述	生产厂家&企业
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IPS040N03LG	OptiMOS3Power-Transistor 文件：416.71 Kbytes Page：10 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
040N03L	N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：1.6906 Mbytes Page：7 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
040N03L	N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：1.83438 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
BSO040N03MSG	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET 文件：317.62 Kbytes Page：9 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IIPD040N03L	N-ChannelMOSFETTransistor 文件：334.96 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPD040N03L	N-ChannelMOSFETTransistor 文件：334.96 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更新时间：2024-6-18 14:18:00

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IPQC60R010S7XTMA1
IPQC60R010S7XTMA1
2023-7-4
IPS1025HFQ 高压侧开关
STMicroelectronics采用M0T5VIPower技术的单片架构采用了QFN48L封装
2022-10-27
IPS1011SPBF
原装正品现货
2022-5-18
IPW60R041P6原装现货
IPW60R041P6原装正品
2021-8-11
IPP65R600C6优势原装Infineon局道
IPP65R600C6优势原装Infineon局道
2019-3-27
IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关
IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET，具有过电流，超温，防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。特点•在温度关机•在当前的关机•有源钳位
2012-11-14