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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
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SPB80N06S2-09	N-Channel60V(D-S)MOSFET 文件：1.05695 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
IPP80N06S2-09	iscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·DrainCurrent–ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on):9.1mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·UltraLowOn-resistance ·	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPB80N06S2-09	OptiMOSPower-Transistor 文件：161.43 Kbytes Page：8 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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SPB80N06S2-09供应商更多...

更新时间：2024-5-29 20:20:00

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SPC5602BK0CLH4
原装正品现货
2022-5-24
SPC5200CBV400B
https://hfx03.114ic.com/
2022-3-28
SPC5602BK0VLL6
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2021-3-17
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2019-12-16
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SPB17N80C3BSZ520N15NS3G电信，供电系统
2019-8-6
SPA20N60CFD-CoolMOS功率晶体管
特点•新的革命高电压技术•内在的快速恢复体二极管•极低的反向恢复电荷•超低栅极电荷•至尊的dv/dt的额定•高峰值电流能力•定期雪崩额定•合格的为工业级应用根据JEDEC0）•无铅引脚电镀，符合RoHS标准
2012-11-10