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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SPB80N06S2-09 | OptiMOS Power-Transistor 文件：316.23 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
SPB80N06S2-09 | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.05695 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
SPB80N06S2-09 | OptiMOS Power-Transistor | Infineon 英飞凌 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor ·FEATURES ·Drain Current –ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) : 9.1mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·Ultra Low On-resistance · | ISC 无锡固电 | | ||
OptiMOS Power-Transistor 文件：161.43 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS Power-Transistor 文件：161.43 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 | |
SPB80N06S2-09产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPB80N06S2-09
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
OptiMOS™
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
20+ |
P-TO263-3 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
INFINEON |
08+ |
TO-263 |
400 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
Infineon/英飞凌 |
10+ |
SOT263 |
2000 |
15年光格 只做原装正品 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
SOT-263 |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-263 |
25836 |
新到现货，只做全新原装正品 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-263 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
|||
INFINEON |
24+ |
P-TO263-3 |
8866 |
||||
Infineon Technologies |
21+ |
PG-TO263-3-2 |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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- SPC25
- SPC230F
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- SPB-G34
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2022-5-24SPC5200CBV400B
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2022-3-28SPC5602BK0VLL6
SPC5602BK0VLL6
2021-3-17SPB100N032L-03，SPB100N04S2L-03，SPB11N60C2，SPB11N60S5E3045A，SPB160N04S2-03，SPB20N60C3E3045A，SPB80N03S2L-03，SPB80N03S2L05，SPB80N03S2L-05，SPB80N06S2L-05，SPB80P06P，SPP02N60S5，SPP04N60C2
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2019-12-16SPB17N80C3BSZ520N15NS3G特价热销
SPB17N80C3 BSZ520N15NS3 G 电信 ，供电系统
2019-8-6SPA20N60CFD-CoolMOS功率晶体管
特点 •新的革命高电压技术 •内在的快速恢复体二极管 •极低的反向恢复电荷 •超低栅极电荷 •至尊的dv/ dt的额定 •高峰值电流能力 •定期雪崩额定 •合格的为工业级应用根据JEDEC0） •无铅引脚电镀，符合RoHS标准
2012-11-10
DdatasheetPDF页码索引
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