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IPP65R190C7 | Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.65691 Mbytes Page：15 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
IPP65R190C7 | N-Channel MOSFET Transistor 文件：339.05 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
IPP65R190C7 | 500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET | Infineon 英飞凌 | | |
N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.58 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel MOSFET Transistor 文件：339.05 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.62 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：261.17 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.73961 Mbytes Page：15 Pages | Infineon 英飞凌 | |
更新时间：2026-1-3 9:05:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-220 |
9000 |
全新原装正品支持含税 |
|||
Infineon |
20+ |
原装 |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220 |
60000 |
全新原装现货 |
|||
Infineon/英飞凌 |
2025+ |
PG-TO220-3 |
8000 |
||||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
标准封装 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
N/A |
9855 |
原装正品现货支持实单 |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO220-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
|||
inf进口原 |
21+ |
TO-220 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO220-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
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2019-3-27
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