FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
33A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
75 毫欧 @ 15.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 760µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
67 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2721 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
189W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-VSON-4
封装/外壳
4-PowerTSFN
基本产品编号
IPL60R075