发布企业：深圳市科雨电子有限公司时间：2023-2-28 17:14:00
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
75 毫欧 @ 15.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 760µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
67 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2721 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
189W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-VSON-4
封装/外壳
4-PowerTSFN
基本产品编号
IPL60R075
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