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IPD90N06S3-06

OptiMOS-T Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPD90N06S3-06

OptiMOS-T Power-Transistor

Infineon

英飞凌

IPD90N06S3-06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD90N06S3-06

  • 功能描述

    MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 90A 6mOhms

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-30 11:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINE0N
23+
TO-252
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
VBSEMI/台湾微碧
23+
D-Pak
50000
全新原装正品现货,支持订货
INFINEON
24+
PG-TO252-3D-PAK(TO
8866
I
25+
D-PAK
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
VB
21+
D-Pak
10000
原装现货假一罚十
INFINEON/英飞凌
17+
PG-TO252-3D-PAK(TO25
31518
原装正品 可含税交易
INENOI
23+
SOT252
50000
全新原装正品现货,支持订货
Infineon(英飞凌)
23+
10000
只做全新原装,实单来
VBSEMI/台湾微碧
24+
D-Pak
60000
INFINEON
23+
TO-252
7000

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