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IPD70R2K0CE

高性价比的超结 MOSFET,适用于电子消费产品和照明应用

CoolMOS™ CE 是英飞凌市场领先的高电压功率 MOSFET 的技术平台,根据超结原理 (SJ) 设计,旨在满足消费者的需求。通过其扩展产品系列,英飞凌提供 600V、650V 和 700V 器件,旨在满足移动设备和电动工具、LCD、LED TV 和 LED 照明 应用对低功耗充电器的需求。 • 热性能\n• 器件上 ≤ 90°C,开放型外壳\n• ≤ 50°C/70°C 封闭外壳温度\n• EMI 符合 EN55022B 标准\n• 易用性和快速设计\n\n优势:\n• 从典型的 R Ds(开启)到标称之间较大裕度的低传导损耗\n• 优化输出电容带来的低开关损耗 (E oss)\n• 优化电磁干扰,以平衡开关速度和电磁干扰行为\n• 集成 Rg 的良好控制性;

INFINEON

英飞凌

IPD70R2K0CE

700V CoolMOS짧 CE Power Transistor

文件:955.91 Kbytes Page:14 Pages

INFINEON

英飞凌

IPD70R2K0CE

N-Channel MOSFET Transistor

文件:335.89 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

丝印代码:DPAK;N-Channel MOSFET Transistor

文件:335.89 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

700V CoolMOS짧 CE Power Transistor

文件:937.65 Kbytes Page:14 Pages

INFINEON

英飞凌

700V CoolMOS짧 CE Power Transistor

文件:1.09249 Mbytes Page:14 Pages

INFINEON

英飞凌

IPD70R2K0CE产品属性

  • 类型

    描述

  • OPN:

    IPD70R2K0CEAUMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TO252-3

  • VDS max:

    700 V

  • RDS (on) @10V max:

    2000 mΩ

  • ID @25°C max:

    4 A

  • QG typ @10V:

    7.8 nC

  • Special Features:

    price/performance

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -40 °C

  • Operating Temperature max:

    150 °C

  • VGS(th) min:

    2.5 V

  • VGS(th) max:

    3.5 V

  • Technology:

    CoolMOS™ CE

更新时间:2026-5-25 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
24+
PG-TO252-3
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
Infineon(英飞凌)
2447
PG-TO252-3
315000
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
11220
英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。
Infineon(英飞凌)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
Infineon/英飞凌
2025+
PG-TO252-3
8000
INFINEON/英飞凌
22+
TO-252
20000
公司只做原装 品质保障
Infineon Technologies
22+
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
9000
原厂渠道,现货配单
Infineon/英飞凌
25+
PG-TO252-3
25000
原装正品,假一赔十!
Infineon
24+
TO220-3
17900
MOSFET管

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