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IPD50N06S3-15

OptiMOS-TPower-Transistor

文件:163.5 Kbytes Page:9 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IPD50N06S3-15产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD50N06S3-15

  • 功能描述

    MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 15mOhms

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-11 19:37:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
INFINEON/英飞凌
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一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
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