IPD30N06S2L-13价格

参考价格:¥2.4085

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IPD30N06S2L-13

N-Channel MOSFET

FEATURES ·Drain Current -ID= 30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 13mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Switch Mode Power Supply (SMPS) ·Uninterruptible Power Supply (UPS) ·Power Factor Correction (PFC)

ISC

无锡固电

IPD30N06S2L-13

55 V、N 沟道、最大 13 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™

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IPD30N06S2L-13

OptiMOS Power-Transistor

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IPD30N06S2L-13产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD30N06S2L-13

  • 功能描述

    MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 30A 13mOhms

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-2 11:52:00
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