型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IPD30N06S2-15

OptiMOS Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPD30N06S2-15

20V-650V汽车级MOSFET

Infineon

英飞凌

OptiMOS Power-Transistor

文件:265.49 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:899.32 Kbytes Page:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IPD30N06S2-15产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD30N06S2-15

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V 30A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-25 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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只做原装正品现货或订货假一赔十!
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原装正品,假一赔十
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全新原装现货,价格优势
INFINEON/英飞凌
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原装正品支持实单

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