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IPD30N06S2-15中文资料

厂家型号

IPD30N06S2-15

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155.28Kbytes

页面数量

8

功能描述

OptiMOS Power-Transistor

MOSFET N-CH 55V 30A

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IPD30N06S2-15产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD30N06S2-15

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V 30A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-16 16:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
19+
TO-252
33910
INFINEON/英飞凌
20+
TO-252
25000
终端可免费提供样品,欢迎咨询
INFINEON/英飞凌
25+
TO-252
35583
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INFINEON
2024+
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24+
SOT-252
17147
原装进口假一罚十
INFINEON/英飞凌
24+
TO-252
2103
只做原厂渠道 可追溯货源
Infineon(英飞凌)
24+
TO-252
9555
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
INFINEON/英飞凌
2450+
TO-252
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
INFINEON
24+
PG-TO252-3D-PAK(TO
8866
INFINEON
23+
TO-252
15000
原装正品,假一罚十