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OptiMOS(TM)3 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

OptiMOS(TM)3 Power-Transistor

Infineon

英飞凌

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE ■ HIGH CURRENT POWER MODULE ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY (SEE STH80N06 FOR RATING) ■ VERY LARGE SOA - LARGE PEAK POWER CAPABILITY ■ EASY TO MOUNT ■ SAME CURRENT CAPABILITY FOR THE TWO SOURCE TERMINALS ■ EXTREMELY LOW Rth JU

STMICROELECTRONICS

意法半导体

IPD250N06N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD250N06N

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-17 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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