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IPD18DP10LM

OptiMOS Power-Transistor,-100V

Features *P-channel *Very low on-resistance Rds(on) @ Vgs=4.5 V *100 avalanche tested *Logic level *Enhancement mode *Pb-free lead plating; RoHS compliant *Halogen-free according to IEC61249-2-21

Infineon

英飞凌

IPD18DP10LM

逻辑级 P 沟道 MOSFET,降低中低功率应用的设计复杂性

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-12-17 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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TO252-3
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
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