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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
OptiMOS짰 Power-Transistor 文件：380.72 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 |   | ||
OptiMOS® Power-Transistor | Infineon 英飞凌 | |
IPD144N06N产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPD144N06N
- 功能描述
MOSFET N-CH 60V 50A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-12-15 20:18:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO252 |
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INFINEON/英飞凌全新特价IPD144N06NG即刻询购立享优惠#长期有货 |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEO |
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Infineon(英飞凌) |
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INFINEON |
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25+ |
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Infineon |
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INFINEON/英飞凌 |
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IPD144N06N规格书下载地址
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2018-12-30
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