位置：首页 > IC中文资料第1092页 > IPD12N03LB
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
OptiMOS짰2 Power-Transistor OptiMOS®2 Power-Transistor Package Marking • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant | Infineon 英飞凌 |   | ||
MOSFET N-CH 30V 30A TO-252 | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS®2 Power-Transistor | Infineon 英飞凌 | | ||
N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 12mΩ ID 25A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free | EXCELLIANCE 杰力科技 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.82632 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01591 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：960.51 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET 文件：327.69 Kbytes Page：8 Pages | CYSTEKEC 全宇昕科技 | |
IPD12N03LB产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPD12N03LB
- 功能描述
MOSFET N-CH 30V 30A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-252 |
870 |
全新原装正品支持含税 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
870 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
INFINEON |
24+ |
SOT-252 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO252-3 |
8866 |
||||
Infineon Technologies |
21+ |
PG-TO252-3 |
2500 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
INFINE0N |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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