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IPD096N08N3价格
参考价格：￥3.4709
型号：IPD096N08N3G 品牌：Infineon 备注：这里有IPD096N08N3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IPD096N08N3批发/采购报价，IPD096N08N3行情走势销售排行榜，IPD096N08N3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPD096N08N3 | N-Channel MOSFET Transistor 文件：337.15 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | |
OptiMOS(TM)3 Power-Transistor Features • Ideal for high frequency switching • Optimized technology for DC/DC converters • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • N-channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target applications | Infineon 英飞凌 | | ||
20V-300V N-Channel Power MOSFET | Infineon 英飞凌 | | ||
Ideal for high frequency switching 文件：360.65 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
Ideal for high frequency switching 文件：360.65 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
N-Channel MOSFET Transistor 文件：337.15 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
IPD096N08N3产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPD096N08N3
- 功能描述
MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO252-3 |
90449 |
||||
INFINE0N |
21+ |
DPAK (TO-252) |
32568 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
|||
INFINE0N |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-252 |
11942 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
INFINEON/英飞凌原装特价IPD096N08N3GATMA1即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
Infineon |
2024 |
SOIC-8 |
14394 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO252-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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IPD096N08N3规格书下载地址
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2018-12-30
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