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IPB65R110CFD7

650V CoolMOS짧 CFD7 SJ Power Device

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Infineon

英飞凌

IPB65R110CFD7

集成快速体二极管的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET 是谐振高功率拓扑的完美选择

Infineon

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650V CoolMOSª CFD7 SJ Power Device

Features • Ultra-fast body diode • 650V break down voltage • Best-in-class RDS(on) • Reduced switching losses • Low RDS( dependency over temperature

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英飞凌

650V CoolMOS짧 CFD7 SJ Power Device

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英飞凌

更新时间:2025-11-17 22:54:00
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