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IPB65R110CFD7

650V CoolMOS짧 CFD7 SJ Power Device

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Infineon

英飞凌

IPB65R110CFD7

集成快速体二极管的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET 是谐振高功率拓扑的完美选择

Infineon

英飞凌

650V CoolMOSª CFD7 SJ Power Device

Features • Ultra-fast body diode • 650V break down voltage • Best-in-class RDS(on) • Reduced switching losses • Low RDS( dependency over temperature

Infineon

英飞凌

650V CoolMOS짧 CFD7 SJ Power Device

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-9-30 22:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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INFINEON
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TO-263-3
4500
只做原装正品现货或订货假一赔十!

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