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IPB65R041CFD7

650V CoolMOSª CFD7 SJ Power Device

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Infineon

英飞凌

IPB65R041CFD7

集成快速体二极管的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET 是谐振高功率拓扑的完美选择

Infineon

英飞凌

650VCoolMOSªCFD7SJPowerDevice

Features •Ultra-fastbodydiode •650Vbreakdownvoltage •Best-in-classRDS(on) •Reducedswitchinglosses •LowRDS(on)dependencyovertemperature

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650V CoolMOS짧 CFD7 SJ Power Device

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英飞凌

更新时间:2025-12-28 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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SOT-263
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