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N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • Fast switching • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.38Ω • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

ISC

无锡固电

500V 0.38(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

500V 0.38(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

500V CoolMOS짧 CE Power Transistor

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-8-8 17:43:01
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