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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IPB070N06NG | OptiMOS짰 Power-Transistor 文件：446.14 Kbytes Page：10 Pages | INFINEON 英飞凌 |   | |
OptiMOS짰 Power-Transistor 文件：445.11 Kbytes Page：10 Pages | INFINEON 英飞凌 | | ||
MOSFET - Power, Single N-Channel 60 V, 62 m, 11 A Features • Small Footprint for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
OptiMOS짰 Power-Transistor 文件：445.11 Kbytes Page：10 Pages | INFINEON 英飞凌 | | ||
OptiMOS짰 Power-Transistor 文件：446.14 Kbytes Page：10 Pages | INFINEON 英飞凌 | |
IPB070N06NG产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPB070N06NG
- 功能描述
MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
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INFINEON |
23+ |
7000 |
|||||
INFINEON |
26+ |
SOT223-4 |
86720 |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
|||
INFINEON |
24+ |
D2PAK(TO-263) |
8866 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
TO-263 |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
26+ |
TO263 |
43600 |
全新原装现货,假一赔十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO263-3 |
32322 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
INFINEON |
2012+ |
TO-263 |
12000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
|||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-263 |
92728 |
IPB070N06NG规格书下载地址
IPB070N06NG参数引脚图相关
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2024-11-26IPB072N15N3G
原装代理
2024-11-26IPB043N10NF2S坚持原装，现货
IPB043N10NF2S坚持原装，现货
2024-7-17IPB042N10N3G
IPB042N10N3G，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-10-29IPB107N20N3G百诺芯原装现货
IPB107N20N3G 百诺芯原装现货
2019-3-27
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