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IPAN60R650CE

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET

CoolMOS™CE适用于硬开关应用和软开关应用,作为现代超结,它可以提供低导通和低开关损耗,进而提高效率并最终降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS™CE 结合了最佳的 RDS (on)和封装,适用于手机和平板电脑的低功耗充电器。 • 典型 R DS (on) 和最大 R DS (on) 之间的边距较窄\n• 减少了储存在输出电容中的能量 (Eoss)\n• 体二极管稳健性良好,反向恢复电荷(Q rr)较低\n• 经过优化的集成 Rg\n\n优势:\n• 低通态损耗\n• 低开关损耗\n• 兼适于硬开关和软开关\n• 易掌控的转换行为\n• 提高效率,进而降低功耗\n• 减轻设计工作量\n• 使用简便;

INFINEON

英飞凌

IPAN60R650CE

600V CoolMOS짧 CE Power Transistor

文件:1.00087 Mbytes Page:14 Pages

INFINEON

英飞凌

IPAN60R650CE

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:266.95 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET Transistor

文件:335.41 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

600V CoolMOS™ CE Power Transistor

文件:1.74126 Mbytes Page:17 Pages

INFINEON

英飞凌

600V N-Channel MOSFET

文件:771.82 Kbytes Page:7 Pages

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司

IPAN60R650CE产品属性

  • 类型

    描述

  • OPN:

    IPAN60R650CEXKSA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TO220-3

  • VDS max:

    600 V

  • RDS (on) @10V max:

    650 mΩ

  • ID @25°C max:

    9.9 A

  • QG typ @10V:

    20.5 nC

  • Special Features:

    price/performance

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -40 °C

  • Operating Temperature max:

    150 °C

  • VGS(th) min:

    2.5 V

  • VGS(th) max:

    3.5 V

  • Technology:

    CoolMOS™ CE

更新时间:2026-5-18 18:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
24+
TO-220FP-3
8000
只做原装,欢迎询价,量大价优
Infineon/英飞凌
25+
TO-220FP-3
25000
原装正品,假一赔十!
Infineon
24+
TO220-3
17900
MOSFET管
Infineon/英飞凌
21+
TO-220FP-3
6820
只做原装,质量保证
Infineon
25+
PG-TO220-3
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
Infineon/英飞凌
25+
TO-220FP-3
12700
买原装认准中赛美
Infineon Technologies
22+
TO2203
9000
原厂渠道,现货配单
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
Infineon(英飞凌)
2447
TO-220FP-3
115000
500个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期
Infineon Technologies
23+
原装
7000

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