| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IN08127 | Isat is the current at which the inductance drops by 15. 文件：37.03 Kbytes Page：2 Pages | ICE |   | |
MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone Features • All in one including output matching circuit • Simple external circuit • Simple power control • High gain 3stage amplifier : 0 dBm input Typ • Lead less thin & Small package : 8.0 × 10.0 mm Typ × 1.5 mm Max • High efficiency : 55 Typ at 35.0 dBm for E-GSM 47 Typ at 32.5 dBm for D | RENESAS 瑞萨 | | ||
MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone Features • All in one including output matching circuit • Simple external circuit • Simple power control • High gain 3stage amplifier : 0 dBm input Typ • Lead less thin & Small package : 8.0 × 10.0 mm Typ × 1.5 mm Max • High efficiency : 55 Typ at 35.0 dBm for E-GSM | RENESAS 瑞萨 | | ||
WIRE FORM FAN GUARD (254mm) 文件：233.02 Kbytes Page：1 Pages | QUALTEK | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
E |
24+ |
NA/ |
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原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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BGA |
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专注全新正品,优势现货供应 |
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INPHI |
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BGA |
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TSC |
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SOT-223 |
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LEM |
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SENSOR |
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2020-1-12
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