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芯片资料

参考价格：￥7.3493

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IKP20N60H3XKSA1	封装/外壳：TO-220-3 包装：管件描述：IGBT 600V 40A 170W TO220-3 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	Infineon 英飞凌	Infineon
IGP20N60H3	High speed switching series third generation High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology Features: TRENCHSTOPTM technology offering • very low turn-off energy • low VCEsat • low EMI • maximum junction temperature 175°C • qualified according to JEDEC for target applications • Pb-free lead plating,halogen-free mould compound,RoH	Infineon 英飞凌	Infineon
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IGW20N60H3	High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology 文件：2.00468 Mbytes Page：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKB20N60H3	High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology 文件：1.83201 Mbytes Page：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

IKP20N60H3供应商更多...

更新时间：2025-8-12 23:01:00

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IKW15N120T2
进口代理
2024-6-20
IKP15N60T
IKP15N60T
2023-11-16
IKP15N60TXKSA1 TI/德州仪器 21+ TO220
https://hfx03.114ic.com/
2022-2-19
IKD06N60RF
类别：分离式半导体产品家庭：IGBT - 单路系列：TrenchStop?IGBT 类型：沟道电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600VVge， Ic时的最大Vce（开）：2.1V @ 15V，6A电流 - 集电极 (Ic)（最大）：12A功率 - 最大：100W输入类型：标准型安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商设备封装：PG-TO
2021-10-16
IKW30N60T
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2020-10-26
IKW15N120H3
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2020-4-22