型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IHD10N60RA

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

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Infineon

英飞凌

IHD10N60RA

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:管件 描述:IGBT 600V 20A 110W TO252-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IHD10N60RA

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

Infineon

英飞凌

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching a

UTC

友顺

N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:330.13 Kbytes Page:8 Pages

UTC

友顺

IHD10N60RA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IHD10N60RA

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 Soft SW-Rev Conduct IGBT Monolithic Body

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-22 17:47:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
22+
TO-247
15000
英飞凌MOS管、IGBT大量有货
INFINEON/英飞凌
23+
DPAK(TO-2
43000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
INFINEON/英飞凌
19+
TO-252
4800
原装现货支持BOM配单服务
DALE
23+
65480
VISHAY-DALE
25+
101
公司优势库存 热卖中!
VISHAY(威世)
24+
插件,D6.85xL17.78mm
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
N/A
2447
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
INFINEON
23+
TO-252
8000
只做原装现货
INFINEON
23+
TO-252
7000
INFINEON
23+
TO-252
16643
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术

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