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IHD10N60RA中文资料

厂家型号

IHD10N60RA

文件大小

829.54Kbytes

页面数量

12

功能描述

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

IGBT 晶体管 Soft SW-Rev Conduct IGBT Monolithic Body

数据手册

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生产厂商

Infineon Technologies AG

简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

LOGO

IHD10N60RA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IHD10N60RA

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 Soft SW-Rev Conduct IGBT Monolithic Body

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-28 15:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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Infineon Technologies AG 英飞凌科技公司

中文资料: 34233条

据权威机构07芯片生产排行,infineon公司排在Intel、SAMSUNG、TI、ST之后,为全球第五大芯片生产商。其总部在德国的慕尼黑,企业文化:neverstopthinking.在中国苏州投资成立奇梦达,主要生产内存条,并允许北京瑞田达公司代理其电子产品。英飞凌在法兰克福证券交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场OTCQXInternationalPremier(股票代码:IFNNY)挂牌上市。西门子半导体事业部作为英飞凌科技(中国)有限公司的前身于1995年正式进入中国市场。自从1996年在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,目前在中国已经拥有8家公司和1