型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IGC20120

SiC Schottky Diodes

ETC

知名厂家

1200 V αSiC Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

Features • Proprietary αSiC Schottky Barrier Diode technology • Negligible reverse recovery current • Maximum operating junction temperature of 175°C • Improved switching losses vs. Si bipolar diodes • Positive temperature coefficient for ease of paralleling Applications Renewable Industr

AOSMD

万国半导体

LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

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PANJIT

強茂

LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

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Ultra low forward voltage drop, low power loss

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Ultra low forward voltage drop, low power loss

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強茂

IGC20120产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IGC20120

  • 功能描述

    ASIC

更新时间:2025-10-4 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
23+
8000
只做原装现货
INFINEON
23+
7000
GE
23+
65480
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
INFINEON/英飞凌
22+
N/A
15000
英飞凌MOS管、IGBT大量有货
INFINEON
24+
con
35960
查现货到京北通宇商城
INFINEON
24+
con
35960
查现货到京北通宇商城
Infineon Technologies
25+
模具
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
INFINEON/英飞凌
22+
N/A
9000
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优
IFM
23+
SENSOR
128
全新、原装

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